买卖IC网 >> 产品目录 >> SIR642DP-T1-GE3 MOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIR642DP-T1-GE3

库存数量：60
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V
SIR642DP-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 40 V
闸/源击穿电压 20 V
漏极连续电流 60 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.0024 Ohms at 10 V
配置
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK SO-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SIR642DP-T1-GE3
SIR644DP-T1-GE3
SIR646DP-T1-GE3
SIR662DP
SIR662DP-T1-GE3
SIR670DP-T1-GE3
供应商
公司名
电话
深圳市科翼源电子有限公司 13510998172 朱小姐
深圳市华芯盛世科技有限公司 0755-23941632 朱先生/李小姐
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深圳市企诺德电子有限公司 13480313979 胡
深圳市一线半导体有限公司 0755-88608801 谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
北京力通科信电子有限公司 13661385246 韩小姐
深圳市时兴宇电子有限公司 0755-83041559 彭先生
深圳市佳斯泰科技有限公司 13612973190 廖先生
  • SIR642DP-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 2.194 2.194
    10 1.766 17.66
    100 1.6 160
    250 1.422 355.5
    3,000 0.952 2856
    6,000 0 0